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日期:  2024-07-14 作者:  半岛 点击率:  

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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据连结很短的时候。为了连结数据,DRAM利用电容存储,所以必需隔一段时候刷新(refresh)一次,假如存储单位没有被刷新,存储的信息就会丢掉。 (关机就会丢掉数据)

DRAM简介

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据连结很短的时候。为了连结数据,DRAM利用电容存储,所以必需隔一段时候刷新(refresh)一次,假如存储单位没有被刷新,存储的信息就会丢掉。 (关机就会丢掉数据)

工作道理 动态RAM的工作道理 动态RAM也是由很多根基存储元依照行和列地址引脚复用来构成的。

3管动态RAM的工作道理3管动态RAM的根基存储电路。在这个电路中,读选择线和写选择线是分隔的,读数据线和写数据线也是分隔的。

写操作时,写选择线为 1 ,所以Q1导通,要写入的数据经由过程Q1送到Q2的栅极,并经由过程栅极电容在必然时候内连结信息。

读操作时,先经由过程公用的预充电管Q4使读数据线上的散布电容CD充电,当读选择线为高电平有用时,Q3处在可导通的状况。若本来存有 1 ,则Q2导通,读数据线的散布电容CD经由过程Q3、Q2放电,此时读得的信息为 0 ,正好和原存信息相反;若原存信息为 0 ,则Q3虽然具有导通前提,但由于Q2截止,所以,CD上的电压连结不变,因此,读得的信息为 1 。可见,对如许的存储电路,读得的信息和本来存入的信息正好相反,所以要经由过程读出放年夜器进行反相再送往 数据总线。

DRAM百科

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工作道理 动态RAM的工作道理 动态RAM也是由很多根基存储元依照行和列地址引脚复用来构成的。

3管动态RAM的工作道理3管动态RAM的根基存储电路。在这个电路中,读选择线和写选择线是分隔的,读数据线和写数据线也是分隔的。

写操作时,写选择线为 1 ,所以Q1导通,要写入的数据经由过程Q1送到Q2的栅极,并经由过程栅极电容在必然时候内连结信息。

读操作时,先经由过程公用的预充电管Q4使读数据线上的散布电容CD充电,当读选择线为高电平亚新体育有用时,Q3处在可导通的状况。若本来存有 1 ,则Q2导通,读数据线的散布电容CD经由过程Q3、Q2放电,此时读得的信息为 0 ,正好和原存信息相反;若原存信息为 0 ,则Q3虽然具有导通前提,但由于Q2截止,所以,CD上的电压连结不变,因此,读得的信息为 1 。可见,对如许的存储电路,读得的信息和本来存入的信息正好相反,所以要经由过程读出放年夜器进行反相再送往 数据总线。

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